Memoria MRAM de grado espacial QED de 1 Gb certificada por la NASA
Hoy os traemos una nueva memoria del fabricante Micross Components, que amplía su oferta de productos MRAM con la incorporación de una memoria MRAM de grado espacial QED (Qualified Encapsulated Device) de 1 Gb (32M x 32), que se basa en la topología de nodo de proceso pMTJ STT-MRAM de 22 nm. Este encapsulado ofrece una memoria no volátil de alta fiabilidad, elevada densidad y bajo consumo.
Fruto de la colaboración con Avalanche Technology, esta QED MRAM de 1 Gb ofrece un microcircuito en encapsulado plástico apantallados que posee la calificación de la NASA (instrucciones eléctricas, electrónicas y electromecánicas).
La nueva Spin Transfer Torque QED MRAM de 1 Gb proporciona un acceso de lectura/escritura aleatoria en el array de memoria, con el beneficio añadido de ser altamente resistente al flujo magnético, mitigando la necesidad de apantallado adicional.
Con el certificado EEE-INST-002 (sección M2) como PEM Nivel 2 es análogo a la tecnología Flash con una interfaz de lectura/escritura compatible con SRAM, ECC avanzado y registro de configuración con una mejora de rendimiento adicional: la función de modo de página asincrónica.
Los dispositivos Perpendicular Spin-Torque MRAM dotan de protección inherente en entornos adversos y el mejor perfil de potencia de todas las memorias no volátiles, haciendo que estén especialmente indicados en aplicaciones espaciales y aeroespaciales de alta fiabilidad.
Como la última novedad de la familia MRAM de la representada de Anatronic, la memoria MRAM de grado espacial Spin-Torque, Persistent 1Gb QED MRAM de 32M x 32 se encuentra disponible en dos versiones: Radiation Tolerant o Non-Rad en un encapsulado plástico BGA solder-ball 142 de 17 x 15mm.
Todos los dispositivos Micross pMTJ STT-MRAM se distinguen por una resistencia casi infinita al ofrecer una retención de datos de más de diez años en el rango de temperatura de -40 a +125 °C. Rinden con una tensión de 2,7 a 3,6 V, con un acceso mínimo garantizado de 45 ns en el rango de temperatura militar (de -55 a +125 °C).
Micross y Avalanche continúan cooperando para responder a la necesidad de soluciones de memoria de alta densidad, bajo consumo y pequeño tamaño con diferentes opciones de densidad y encapsulado en dispositivos STT-MRAM con la mejor tecnología de memoria no volátil.