Memoria MRAM de 1Gb para aplicaciones espaciales

Memoria MRAM 1Gb para aplicaciones espaciales

Hoy os presentamos una nueva memoria que supone una ampliación al catálogo de memorias MRAM del fabricante Micross Components. Se trata de una memoria MRAM de 1Gb, 32M x 32, en formato CLGA/CBGA, y que se basa en la tecnología pMTJ STT-MRAM de 22nm de Avalanche Technology.

Este dispositivo STT MRAM de 1Gb con encapsulado cerámico hermético de grado espacial proporciona un verdadero acceso de “lectura” y “escritura” aleatorio en el array de memoria, con el beneficio añadido de ser altamente resistente al flujo magnético, eliminado así la necesidad de un apantallado adicional.

Esta arquitectura de MRAM es análoga a la tecnología Flash con una interfaz de lectura/escritura compatible con SRAM con una función de modo de página asincrónica.

Los dispositivos “Perpendicular Spin-Torque MRAM” aportan una mayor protección en entornos adversos y el mejor perfil de potencia de todas las memorias no volátiles, convirtiéndose en una opción óptima para proyectos espaciales y aeroespaciales.

La representada de Anatronic y Avalanche colaboran para responder a la creciente demanda de soluciones de memoria más compactas y eficientes con estos dispositivos STT-MRAM basados en la mejor tecnología de memoria no volátil de su clase.

Esta memoria MRAM de 1Gb, 32M x 32 es la última incorporación a la nueva familia de MRAM de Micross. Esta memoria se encuentra disponible con una calificación “Space & Military QML” y dos variantes de encapsulado hermético de 18 x 20 mm (CLGA & CBGA en definiciones de 142 pad/solder-ball) en RAD-HARD, RAD-Tolerant y Non-Radiation.

Esta memoria ofrece una resistencia casi infinita con una retención de datos de más de diez años en el rango de temperatura de -40 a +125 °C y con una tensión de 2,7-3,6 V. El tiempo de acceso mínimo garantizado se sitúa en 45 ns en este rango de temperatura militar.

“La tecnología Perpendicular STT MRAM de 22 nm de próxima generación de Avalanche nos ha permitido ofrecer una reducción de la memoria de intercambio mediante la nueva memoria MRAM de 1 Gb del catálogo de memorias de alta fiabilidad. Esta MRAM ofrece más de sesenta y cuatro veces la densidad de nuestra MRAM de 16 Mb inicial, con una mejora de densidad de bit de 2.844 Mb por mm² en comparación con la de 163.84 Kb por mm²” afirma Jeremy Adams, Vicepresidente de Productos y Servicios de Micross. “La eficiencia, la resistencia, el rendimiento y la escalabilidad de la tecnología STT-MRAM respaldan la llegada de soluciones de memoria no volátil más compactas y eficientes para las industrias espacial y aeroespacial”.

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